Questão #1284479 · Administração Pública · 2012
Questões encontradas
Questão #1284478 · Direito Administrativo · 2012
No que se refere à relação entre o nível aceitável de risco de uma amostragem e a amostra, assinale a opção correta.
Resolver questão →Questão #1284477 · Administração Pública · 2012
De acordo com a Lei n.º 10.520/2002, que institui a modalidade de licitação denominada pregão, bens e serviços comuns são aqueles cujos padrões de desempenho e de qualidade poderão ser objetivamente definidos pelo(a)
Resolver questão →Questão #1284476 · Direito Administrativo · 2012
Com base na Lei de Licitações e Contratos e considerando que a prestação de garantia no contrato administrativo visa proporcionar segurança à administração no que se refere ao cumprimento das obrigações contratuais pelo contratad…
Resolver questão →Questão #1279523 · Serviço Social · 2012
Conforme o disposto no ECA, no que se refere a adolescente com prática de ato infracional, é correto afirmar que
Resolver questão →Questão #1279522 · Serviço Social · 2012
A criança deve ser afastada de sua família nos casos
Resolver questão →Questão #1279521 · Serviço Social · 2012
De acordo com a PNAS, o princípio da matricialidade da família
Resolver questão →Questão #1279520 · Serviço Social · 2012
Acerca da relação entre Estado e sociedade, assinale a opção correta.
Resolver questão →Questão #1279519 · Serviço Social · 2012
No que concerne ao trabalho com grupos nos diferentes espaços ocupacionais do assistente social, assinale a opção correta.
Resolver questão →Questão #1279518 · Serviço Social · 2012
A respeito do laudo e do relatório, que compõem a prática profissional do assistente social, assinale a opção correta.
Resolver questão →Questão #1279517 · Serviço Social · 2012
Com base nas resoluções do Conselho Federal de Serviço Social, assinale a opção correta.
Resolver questão →Questão #1279516 · Engenharia Elétrica · 2012
Determinada aplicação utiliza um transistor de efeito de campo MOS (metal-óxido silício), com canal N e substrato formado por semicondutor P. Essa aplicação depende do controle da tensão porta-fonte do transistor. Assinale a opçã…
Resolver questão →Questão #1279515 · Engenharia Elétrica · 2012
O diagrama de blocos ilustrado acima representa um sistema linear em tempo contínuo, em que R(s) é a entrada e C(s), a saída. Este diagrama permite obter informações da relação entrada-saída do sistema no domínio da frequência, d…
Resolver questão →Questão #1279514 · Engenharia Elétrica · 2012
O circuito acima é parte de uma rede elétrica linear que deve ser reduzida a um circuito equivalente entre os terminais a-b, que deve ser constituído por uma fonte de tensão em série com uma resistência. Nesse caso, os valores da…
Resolver questão →Questão #1279513 · Engenharia Elétrica · 2012
Em relação aos arranjos típicos de subestação, assinale a opção correspondente ao arranjo mais indicado para subestação tecnicamente capaz de permitir elevado fluxo de potência, e que deve ter a mais elevada segurança contra perd…
Resolver questão →Questão #1279512 · Engenharia Elétrica · 2012
Um gerador trifásico simétrico e balanceado, conectado em estrela, alimenta uma impedância trifásica equilibrada, com fator de potência indutivo, também conectada em estrela. VA foi o valor medido entre a tensão da fase A e o con…
Resolver questão →Questão #1279511 · Engenharia Elétrica · 2012
Um gerador trifásico, conectado em estrela, alimenta, através de quatro condutores, uma carga desequilibrada composta pelas seguintes resistências por fase: RA = 1,0 O, RB = 1,0 O e RC = 1,1 O, também conectada em estrela. Ao ana…
Resolver questão →Questão #1279510 · Engenharia Elétrica · 2012
Com relação a condutores elétricos, assinale a opção correta.
Resolver questão →Questão #1279509 · Concursos · 2012
A figura acima ilustra um esquema de propagação de ondas eletromagnéticas planas e uniformes nos meios 1 e 2, ambos sem perdas. O meio 2 é caracterizado por permissividade dielétrica igual ao dobro da permissividade dielétrica do…
Resolver questão →Questão #1279508 · Engenharia Elétrica · 2012
