Engenharia Mecânica

Um substrato de silício do tipo p, com 5.10¹⁵ átomos de boro por cm³, foi a matéria prima para fabricar microcircuitos eletrônicos. Para produzir as uniões n-p, se difundiram átomos de fósforo no substrato. Na temperatura de pré-deposição de 1.000°C, a solubilidade do P no Si é 1.10²¹ átomos de P/cm³ . O coeficiente de difusão do P no Si na temperatura de 1.000°C é 1,10^-14cm²/s.

Calcule a profundidade das uniões depois da pré-deposição em tempo de 3.600s.

A profundidade das uniões é igual a