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O circuito acima refere-se ao modelo para pequenos sinais e

baixas frequências de um amplificador de tensão constituído de

transistor bipolar de junção (TBJ) na configuração

emissor-comum. Nesse circuito, os parâmetros para pequenos

sinais são g_M = 16,6 × 10^-3

S, r_∏ = 6,0 kΩS e r₀ = 121 kΩS. Com

referência a esse circuito, julgue os itens seguintes.

Para que haja máxima absorção de potência pela carga RG, é necessário que o valor de R_g seja diferente da resistência equivalente de Thévenin do circuito amplificador, que, no circuito apresentado, é dada precisamente por 2,5 kΩ.